Proje Konusu: Yarıiletken (Si) Üretiminde Oksijen ve Karbon İletiminin Dinamik Analizi
Projeyi Destekleyen Kurum: TÜBİTAK
Faydalanılan Destek Programı: 1509 – TÜBİTAK Uluslararası Sanayi Ar-Ge Projeleri Destekleme Programı
Proje Başlangıç-Bitiş Tarihleri: 1.9.2018 – 31.8.2020

Silisyum (Si) kristali, mikroelektronik ve fotovoltaik teknolojilerin temel malzemesidir. Özellikle fotovoltaik endüstrisinin son yıllarda hızla büyümesi sonucu Si kristaline olan talebi artırmaktadır. Fotovoltaik sistemlerin daha da ucuzlaması için, Si kristalinin maliyetinin düşerek, kalitesinin artması gerekmektedir. Bu nedenle kristal büyütme işleminin daha da geliştirilmesi büyük bir önem taşımaktadır. Bu projenin temel amacı, yüksek kalitede Si kristali üretimi için kristal büyütme işleminin optimizasyonudur. Özellikle kristal içinde yer alan O ve C atomlarının ayrıntılı analizi yapılarak etkileri anlaşılacaktır. Deneysel işlemlere paralel olarak benzetim çalışmaları yürütülecektir. Böylece, en yüksek kalitede Si kristalinin elde edilmesi sağlanacaktır. Elde edilen kristaller daha sonra hücre ve panel üretiminde kullanılarak, başlangıç malzemesinin en son ürünün performansına etkisi anlaşılacaktır. Üretilecek paneller, açık havada test edilerek son kullanıcı açısından performansı belirlenecektir. Proje ortaklarından Fraunhofer CSP, kristal büyütme işlemlerini gerçekleşecektir. Fraunhofer CSP, dünyanın en gelişmiş ve kapsamlı kristal büyütme tesislerine sahiptir. Benzetim çalışmaları Rus STR firması tarafından yürütülecektir. Projenin diğer ortağı Hanwha-Q-Cell şirketi, dünyanın en büyük güneş hücresi üreticilerinden birisidir. Firmamız ise, GÜNAM ile birlikte Türkiye’de atılım yapan ve yeni ürünler geliştiren bir teknopark firmasıdır.